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dc.contributor.author박재관-
dc.contributor.author박재환-
dc.contributor.author최헌진-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:30:54Z-
dc.date.available2015-12-04T08:30:54Z-
dc.date.issued20030721-
dc.identifier.other1020030049836-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020030049836en_US
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/53778-
dc.description.abstract본 발명은 산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화아연 분말과 그라파이트(graphite)의 환원반응에 의해 생성되는 아연가스를 실리콘 기판상에 증착시켜 나노구조체를 제조하되, 반응관 내부의 온도 조절 및 캐리어 가스로서 유입되는 알곤(Ar)과 산소(O2)의 배합비 조절에 의해 다양한 나노구조체를 재현성 있게 제조하는 방법과 이의 제조장치에 관한 것이다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title산화아연(ZnO) 나노구조체의 제조방법 및 제조장치-
dc.typePatent-
Appears in Collections:
KIST Patent > 2003
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