Ⅱ족 금속 원소 분위기 조절에 의한 ＣｄＴｅ 및ＣｄＺｎＴｅ 박막의 제조 방법

Abstract

본 발명은 열 증착법(thermal evaporation), 전자빔(e-beam) 증착법 또는 스퍼터링 방법 등으로 HgCdTe 물질을 기반으로 하는 적외선 검출 소자의 표면 보호막 또는 X-선 검출 소자용으로서의 CdTe 또는 CdZnTe막을 증착할 경우 증착된 막의 구성 성분에서 II족 금속 원소의 결핍 상태를 해소하기 위해서 별도의 II족 금속 원소 증발원을 추가하여 사용하여 이종의 기판 위에 양질의 CdTe 또는 CdZnTe 막을 증착하는 방법을 제공한다.기존의 열 증착법 또는 전자빔 증착법으로 CdTe 또는 CdZnTe를 증착할 경우 증발원에서 II족 금속 원소의 높은 증기압으로 인하여 증착된 막은 화학양론적 조성에서 항상 II족 금속 원소가 결핍된 상태로 나타나게 된다. 이로 인하여 증착된 박막은 전기적 전도성을 나타내어 적외선 검출 소자의 보호막 또는 X-선 검출 소자로서의 성능을 떨어뜨린다. 이러한 문제를 해소하기 위하여, 본 발명에 따르면, 증발원으로 사용하는 CdTe 또는 CdZnTe 이외에 추가로 II족 금속 원소 증발원을 증착기 내에 장착하여 II족 금속 원소 분위기를 제공함으로써 상기의 문제를 해결하고 우수한 특성을 갖는 CdTe 또는 CdZnTe 막을 얻을 수 있다.적외선 검출 소자, X-선 검출기, 표면 보호막, CdTe, CdZnTe, HgCdTe