가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법

Abstract

본 발명은 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 클러스터 상태의 가스를 이온화하여 아이.티.오 박막 시료의 표면에 조사함으로써 시료의 표면을 평탄화하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 작동가스를 공급하는 작동가스공급장치와

상기 작동가스공급장치에서 공급되는 작동가스를 클러스터(cluster) 상태로 변화시키는 축소확장노즐(convergent and divergent nozzle)과 연결된 확산챔버와

상기 확산챔버에 연결되어 상기 클러스터 상태의 작동가스의 일부를 선별·추출하는 스키머(skimmer)와, 상기 스키머에 의해 선별·추출된 클러스터 상태의 작동가스를 이온화시키는 이온화장치가 설치된 소스챔버와, 상기 클러스터 이온의 밀도를 높여주는 렌즈와 상기 클러스터 이온을 가속시키기 위한 가속장치가 설치된 가속챔버와

상기 가속된 클러스터 이온이 아이.티.오 박막 시료에 조사되어 시료의 표면을 평탄화하기 위한 공정챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템을 제공한다.