Ｃｄ/Ｈｇ 분위기에서 열처리에 의한 ＨｇＣｄＴｅ 접합다이오드의 패시배이션 방법

Abstract

본 발명은 II-VI족 화합물로 이루어진 HgCdTe 반도체에 Cd 조성이 높은 양질의 HgCdTe 보호막을 형성하여 성능이 우수한 광 다이오드를 제조하는 방법이다.본 발명은 Cd 조성이 높은 HgCdTe를 패시배이션 층으로 사용하고, 열처리에 의해 Cd과 Hg 혼합 증기 분위기를 형성하여 Cd 증기로부터 Cd이 HgCdTe 표면으로 확산해 들어감으로써 패시배이션 층을 형성시킨다. 또한, 열처리의 온도와 시간을 조절하여 가장 바깥쪽 표면부의 Cd 조성과 패시배이션 층의 두께를 조정할 수 있다. 본 발명의 방법에 의하면, CdTe의 증착 공정이 필요하지 않아 패시배이션 공정이 간단하면서도 조절이 용이하며 고가의 장비가 필요하지 않다.패시배이션, 광 다이오드, HgCdTe, Cd, 확산