아연산화물 반도체 제조 방법

Abstract

아연산화물 반도체 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 안착시키고, 도판트가 활성화되도록 아연산화물 박막을 급속 열처리하는 것을 특징으로 한다. 본발명에 의하면, 아연산화물 박막을 급속 열처리함으로써 도판트 및 산소가 확산할 시간을 주지 않기 때문에 도판트의 확산으로 인한 도핑 농도의 불균일이나 도핑 효율의 감소를 방지할 수 있고, 전기 광학적 특성이 향상된 n형 아연산화물 반도체를 제작할 수 있으므로 발광다이오드, 레이저 다이오드, 및 자외선 센서 등의 광전 소자의 개발에 기여할 수 있으며 특히, 상온에서 다결정으로 성장된 알루미늄이 도핑된 아연산화물 박막의 경우에 급속 열처리를 통해서 전기적 광학적 특성을 크게 향상될 뿐 만 아니라, 열처리를 실시하기 위하여 반응기 내의 분위기를 반드시 산소 분위기로 형성할 필요가 없이 여러 종류의 기체 분위기에서도 가능하게 됨으로써 아연산화물 반도체를 이용한 광전소자를 용이하게 제작할 수 있다. 급속열처리, 활성화, 화합물 반도체, 아연산화물, 캐리어농도, 캐리어이동도