가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법

Title
가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법
Authors
권순남송재훈송종한정형진최원국황정남
Issue Date
2001-01-20
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용하여 기판에 나노 구조물을 마스크 없이 형성할 수 있는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법에 관한 것이다.본 발명은 클러스터 생성부를 통하여 소스 가스를 클러스터 상태로 변환한 후에 상기 이온화부를 통하여 이온화시켜서 이온 클러스터를 생성하는 단계; 상기 렌즈부를 통하여 상기 이온 클러스터를 포커싱한 후에 상기 가속부를 통하여 가속시키는 단계; 가속된 이온 클러스터를 상기 주사부를 통하여 미리 정해진 위치의 기판에 주사하여 수 nm∼수십 nm 크기의 힐록(Hillock)을 형성하는 단계를 포함하여, 나노 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온 가속기를 이용한 나노 구조물 형성 방법을 제공한다.가스 클러스터, 노즐, 리플렉트론, 가속기, 이온
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2001
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