아연산화물 건식식각방법

Title
아연산화물 건식식각방법
Authors
김경국박성주이지면최원국
Issue Date
2000-08-17
Publisher
광주과학기술원; 한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 메탄을 사용하는 이유는, 아연성분이 메탄의 CH 라디칼과 결합하여 휘발성이 큰 유기금속 기체의 형태로 제거되도록 함으로써 반응성 이온식각의 효율을 증대시키기 위함이다. 상기 메탄을 포함하는 기체에 수소가 더 포함되는 것이 바람직한데, 이는 수소에 의해 산소가 수산화물(OH) 또는 산소(O2)의 형태로 제거되어 식각률이 더 커지기 때문이며, 또한 수소 비활성화(hydrogen passivation) 효과에 의해 아연산화막의 광학적 특성이 좋아지기 때문이다. 본 발명에 의하면, 매우 높은 식각률을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 수소 비활성화 효과로 인하여 박막의 광학적 특성이 향상되게 된다. 따라서, 광전소자 및 전자소자 개발 등 그 응용범위가 크다. 또한, 이방성 식각 특성도 좋다. 건식식각, 반응성 이온식각, 화합물 반도체, 아연산화물, 수소 비활성화
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KIST Patent > 2000
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