산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

Abstract

본 발명은 청색 및 녹색 발광다이오드(LED: Blue/Green Light Emitting Diode) 및 레이저다이오드(LD: laser diode)와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연(ZnO) 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 최근 차세대 발광다이오드용 물질로 각광 받고 있는 산화아연(ZnO) 산화물 반도체를 기존의 단순한 성장조건 변화에 따른 박막제조 방법이 아닌 특정가스 분위기 하에서 후 열처리(post-growth annealing treatment)를 시행함으로써 전기적, 구조적, 광학적 특성이 우수한 산화아연박막을 제조하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은, 스퍼터 시스템(sputter system)으로 반에피텍시 박막을 성장시키고 이 박막을 99.9%이상의 고순도 산소분위기 하에서 고온 열처리하여 그레인(grain) 재배열을 유도함으로써 구조적 특성을 향상시켰으며, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소공공(vacancy)을 줄여줌으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 박막을 구현할 수 있다.