반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법

Abstract

본 발명은 기존의 양자 우물층 두께를 달리한 조합으로 양자 사이즈 효과에 의해 각 양자 우물에서 나오는 광의 파장이 다른 것을 이용하여 이들 광을 모두 사용함으로서 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭을 넓히는 방법에 관한 것이다.InGaAs/InGaAsP/InP 양자 우물 반도체 광 증폭기의 양자 우물층 구조에 있어서, 다른 두께를 가지는 InGaAs/InGaAsP 양자 우물층 조합을 사용하는 것을 특징으로 한다.반도체광증폭기, 양자우물