광전극과 그 제조방법 및 이를 이용한 광전기화학 셀

Abstract

본 발명은 광전극 및 이를 이용한 광전기화학 셀에 관한 것으로, 보다 상세하게는 GaN계 합금을 포함하는 반도체층 및 그래핀층을 포함하는 광전극과 그 제조방법, 및 이를 이용한 광전기화학 셀을 제공함에 따라 넓은 범위의 파장 대역을 갖게 되어 더 많은 태양광에 반응할 수 있고, 전해질 내에서의 광부식이 억제되며 계면에서의 에너지 변환 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.