금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법

Title
금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법
Authors
손동익이규승
Issue Date
2021-11-25
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 저농도에서의 환경에서도 오염 가스를 감지하고, 빠른 반응속도 특성을 나타내며 우수한 선택성을 가지는 가스 센서의 제공을 목적으로 한다.본 발명의 일 관점에 따르면, 금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서 및 이의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속화합물은 산화아연(ZnO), 황화 카드뮴(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴 텔라이드(CdTe) 중에서 선택되는 하나를 포함할 수 있다.본 발명의 실시예에 따르면, 높은 비표면적을 가지는 양자점(quantum dot) 나노구조체 합성을 통해 미량의 가스를 고감도, 고선택성 및 고속으로 감지할 수 있다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2021
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