자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 자기정렬된(self-assembled) 질화붕소나노튜브(BNNT, boron nitride nanotubes)와 탄소나노튜브의 혼합체를 전계효과트랜지스터의 채널로 적용함으로써 전계효과트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터는 게이트전극, 게이트절연막, 소스전극, 드레인전극 및 소스전극과 드레인전극 사이에 구비되는 채널을 포함하여 이루어지며, 상기 채널은 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.