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낮고 신뢰성 있는 동작 전압 및 장기 안정성 특성을 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

Author

박종혁; 이상수; 김희숙; 김영진; 배완기; 신근영; 손정곤

Assignee

한국과학기술연구원

Regitration Date

2017-06-23

Registration No.

10-1752200

Application Date

2015-11-27

Application No.

2015-0167711

Country

KO

URI

https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/76925

Appears in Collections:

KIST Patent > Others

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