2013-08-08 | LED를 이용한 해수내 광통신 시스템 | 송진동; 이정일; 최원준; 한일기 |
2006-03 | MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 | 임주영; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석; Cho, Woon Jo |
1995-01 | Measurement of lattice parameter of primary Si crystal in rheocast hypereutectic Al-Si alloy by convergent beam electron diffraction technique. | 김긍호; 이호인; 이정일 |
1995-01 | Microstructural evolution of rheocast Al-6.2wt.% Si alloy with isothermal stirring | 이정일; 박지호; 김긍호; 이호인 |
1994-10 | Microstructure and characteristic of rheocast A1-6.2wt%Si alloy. | 이정일; 박지호; 이호인; 김문일 |
1994-10 | Microstructures and mechanical properties of squeeze cast Al-Si-Cu-Mg alloy | 이정일; 한요섭; 이호인; 김문일 |
2001-01 | MODFET의 광반응 | 김회종; 김동명; 한일기; 이정일 |
1996-01 | Observation of interfacial reaction products in SiC//p/Al composites and their characterizations. | 이재철; 이정일; 이호인 |
1992-01 | PECVD 방법에 의해 제작된 SiNx/InP MIS 구조의 bias stress 에 의한 C-V 및 G-V 곡선의 변화 . | 강광남; 이정일; 이명복; 한일기; 이유종 |
1996-01 | Phase identification of the interfacial reaction product of SiC//p/Al composite using convergent beam electron diffraction technique. | 이정일; 이재철; 석현광; 이호인 |
1995-01 | Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer. | 이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho |
2003-12 | Quantum dots and wires | 소대섭; 강상규; 최붕기; 이정일; 임한조 |
1990-01 | Reduction of transconductance in saturation region of short channel LDD NMOSFETs. | 강광남; 이명복; 이정일 |
1995-01 | Selective etching characteristics of ITO/semiconductor and ITO/BaTiO//3 structures by reactive ion etching. | 강광남; 이정일; 한일기; 이윤희; 김회종; 이석; 오명환; 김선호; 박홍이 |
1991-01 | Simple model for gate-voltage dependent parasitic resistance in short channel lightly doped drain metal oxide semiconductor field effect transistors. | 강광남; 이정일; 이명복; S. Y. Lee; 윤경식 |
1993-03 | Simple Model for the Second Substrate Current Hump in Short-Channel LDD MOSFETs | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
1993-01 | Simple Semi-Analytic Model for the Substrtate Current of Short Channel MOSFETs with Lightly Doped Drains | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
1996-01 | Solid solution phenomena of Al+Al3Ti alloy and Al+10wt.%Ti alloy using mechanical alloying process | 김혜성; 이정일; 김긍호; 금동화; 서동수 |
2005-08 | Structure and thermal stability of atomic layer epitaxy grown InAs/GaAs (001) quantum dots | 김형석; 서주형; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 최원준; 이정일 |
1993-01 | Surface passivated InP metal-semiconductor-metal schottky diode. | 강광남; 이정일; 한일기; Y. J. Lee; W. J. Choi; G. H. Park |
1988-01 | The effects of residual oxide layers formed after chemical etching on the electrical characteristics of Al/GaAs schottky barrier. | 강광남; 이명복; 이정일 |
1987-01 | The freqeuncy dependence of the diagonal conductivity of a 2DEG in GaAs heterostructure in the quantum Hall regime. | 이정일; B. B. Goldberg; M. Heiblum; P. J. Stiles |
1989-01 | The shift of threshold voltage and subthreshold current curve in LDD MOSFET degraded under difference DC stress-biases. | 강광남; 이명복; 이정일 |
2007-09 | Trench 구조를 이용한 단일모드형 고휘도 발광소자의 광출력 증가 | 한일기; 유영채; 이정일 |
2009-01-16 | 광도파로 주변에 광손실 감소영역을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법 | 한일기; 유영채; 이정일 |
2006-03 | 광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위 | 남형도; 곽호상; L.Doyennette; 송진동; 최원준; 이정일; 조용훈; F. H. Julien; 최정우; 양해석; Cho, Woon Jo |
2003-06 | 나노 포토닉스 : 과거, 현재, 미래 | 이정일; 조운조; 임한조 |
2006-06 | 나노포토닉스에서 양자정보시대까지: InAs/GaAs 자발형성 양자점을 중심으로 | 최원준; 송진동; 이정일 |
2008-03-28 | 넓은 파장의 광을 방출하는 발광소자 | 송진동; 최원준; 이정일; 조운조; 한일기 |
2006-11-03 | 다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성츨을 이용하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법 | 한일기; 유영채; 이정일 |