인 이온주입에 의한 집적 3 파장 레이저 구조의 밴드갭 파장이동에 대한 실험적 고찰

Abstract

이온주입 기술을 이용하여 집적 3파장 레이저 다이오드 제작에 필요한 양자우물 혼합 공정이 2.0 MV tandem 이온 가속기와 RTA 장비를 이용하여 연구되었다. TRIM 시뮬레이터를 이용하여 주입된 인 이온의 분포와 결함 분포가 계산되었다. 반면에 1 MeV P 이온이 5 $\times$ 10$^{14}$ ions/cm$^2$로 InGaAsP-InGaAs 다중 양자우물 시료에 조사된 후 675 $^\circ$C의 Ar 분위기에서 열처리되었다. 이온 조사된 시료의 PL 스펙트럼은 열처리 시간의 함수로 상온에서 측정되었다. 그 결과 밴드갭 파장은 12분 열처리 후에 113 nm 만큼 많이 청색이동되었다.