1.31 μm 파장에서 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기의 편광 의존성

Abstract

단일모드 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기가 2차원 유한요소방법(2D-FEM)을 이용하여 설계되었으며, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 성장기법과 화학적인 습식식각 방법을 이용하여 제작되었다. P-p-n-N 이중의 이종접합(double heterostructure) 위상변조기의 위상변조 특성은 역 바이어스 전압을 변화시키면서 Mach-Zehnder 간섭 방법을 이용하여 1.31 $\mu$m 파장에서 측정되었다. TE와 TM 편광에서 측정된 위상변조 효율은 각각 54.9$^\circ$/V$\cdot$mm와 39.4$^\circ$/V$\cdot$mm로 높게 얻어졌다. TE$_0$와 TM$_0$ 모드 사이의 측정된 위상 변화 차로부터 LEO 효과의 전기광학 계수($\gamma_{41}$)가 1.45 $\times$ 10$^{-10}$ cm/V로 얻어졌다.