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Issue DateTitleAuthor(s)
2011-10Controlled recrystallization for low-current RESET programming characteristics of phase-change memory with Ge-doped SbTe우철; 장강; 박영욱; 강동민; 여호기; 정두석; 정증현; 노광수; 정병기
2010-09Demonstration of a high-speed multi-level cell phase-change memory using Ge-doped SbTe장강; 우철; 박영욱; 정증현; 정두석; 유원종; 정병기
2010-10Modified Potential Well formed by Si/SiO2/TiN/TiO2/SiO2/TaN for flash memory application장강; 라창호; Hua-Min Li; Tian-zi Shen; 정병기; 유원종
2012-10Modified wirte-and-verify scheme for improving the endurance of multi-level cell phase-change memory using Ge-doped SbTe장강; 우철; 정증현; 정두석; 유원종; 정병기
2011-03Multi-level cell storage with a modulated current method for phase-change memory using Ge-doped SbTe장강; 우철; 정증현; 정두석; 유원종; 정병기
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