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Issue DateTitleAuthor(s)
-MOCVD growth of AlN, GaN/Si using an N-atom source based on a dielect barrier discharge methodKIM JIN SANG; Kum Dong Wha; 이지화
2003-10-03질소　공급원으로서　질소　원자－활성　종을　사용하는　유기금속　화학증착에　의한　I I I족　금속　질화물　박막금동화; 김주성; 김진상; 이지화
2002-07-12질소　공급원으로서　질소　원자－활성　종을　사용하는　유기금속　화학증착에　의한　I I I족　금속　질화물　박막금동화; 김주성; 김진상; 이지화
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