| 2010-04 | A nano-patterning technique utilizing surface GaAs clusters as a mask for mesa structure fabrication | 하승규; 송진동; 임주영; 김종수; 사미르 보누아흐; 파브리스 도나티니; 레시 당; 장필립 푸아제; 최원준; 이정일 |
| 2010-02 | AlGaAs 위에 성장한 저밀도 InAs/AlGaAs 양자점 | 조남기; 하승규; 박성준; 임주영; 송진동; 최원준; 이정일 |
| 2006-03 | Anomalous effect of hydrogenation on the optical characterization In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot infrared photodetectors | 임주영; 송진동; 최원준; 조운조; 이정일; 양해석 |
| 2006-07 | Characterization of In0.5Ga0.5As quantum dot infrared photodetector (QDIP) structures treated with post-growth processes | 임주영; 남형도; 송진동; 최원준; 이정일; H. S. Yang |
| 2009-10 | Characterization of individual GaAs droplet QDs | 하승규; 사미르 보누아흐; 파브리스 도나티니; 송진동; 임주영; 김종수; 최원준; 이정일; 레시 당; 장필립 푸아제 |
| 2009-09 | Characterization of individual GaAs droplet QDs by cathodo- and photoluminescence | 하승규; 사미르 보누아흐; 파브리스 도나티니; 송진동; 임주영; 김종수; 최원준; 이정일; 레시 당; 장필립 푸아제 |
| 2007-08 | Comparative Study on 980-nm Quantum-dot and Quantum-well Laser Diode | 김광웅; 정경욱; 유성필; 조남기; 임주영; 박성준; 송진동; 최원준; 이정일; 박정호 |
| 2009-08 | Droplet epitaxy 방법으로 형성된 저밀도 GaAs 양자점의 광발광 및 음극선발광 특성분석 | 하승규; 임주영; 송진동; 김종수; 사미르 보누아흐; 파브리스 도나티니; 레시 당; 장필립 푸아제; 최원준; 이정일 |
| 2007-12 | Effect of AlSb buffer layer and InAs channel thickness on electrical properties of InAs/AlSb-based 2 DEG HEMT structure | 신상훈; 임주영; 송진동; 한석희; 김태근 |
| 2010-03 | Effect of different strain reducing layers on InAs quantum dots grown by migration enhanced epitaxy | 유성필; 조남기; 임주영; 최원준; 송진동; 이정일; Y.T. LEE; C.G. PARK |
| 2009-10 | Effect of Growth Interruption in Migration Enhanced Epitaxy on InAs/GaAs Quantum Dots | 유성필; 조남기; 임주영; 임아람; 최원준; 송진동; 이정일; 이용탁 |
| 2010-02 | Effect of growth parameters on the formation of three-dimensional InAs islands on (001) silicon substrate | 임주영; 송진동; 최원준; H. S. Yang |
| 2009-10 | Effect of Modified Growth Method on the Structural and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots for Controlling Density | 유성필; 조남기; 임주영; 이혜진; 최원준; 송진동; 이정일; 이용탁 |
| 2012-08 | Effect of thin intermediate-layer of InAs quantum dots on the physical properties of InSb films grown on (001) GaAs | 임주영; 송진동; 양해석 |
| 2008-11 | Effects of the AlSb buffer layer and the InAs channel thickness on the electrical properties of InAs/AlSb-based 2-DEG HEMT structures | 신상훈; 임주영; 송진동; 김형준; 한석희; T. G. Kim |
| 2014-04 | Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As Multiple Quantum Well
Nanostructures on (100) Si Substrate Using a
1-nm InAs Relief Layer | 오현지; 박성준; 임주영; N.K Cho; 송진동; W. Lee; 이유종; 명재민; 최원준 |
| 2010-04 | Formation of low density InAs QDs in indirect bandgap Al(Ga)As matrix (λ~790nm) | 조남기; 하승규; 박성준; 임주영; 송진동; 최원준; 이정일 |
| 2007-08 | GaAs기판상에 나노 구조를 이용하여 격자상수차이를 극복하여 성장된 1um 두께의 고품질 InSb (47,000cm2/Vs) | 송진동; 임주영; 최원준; 장준연; 한석희 |
| 2011-07 | Growth and characteristics of AlGaAs/GaAs multi quantum well on Si | 박성준; 임주영; 오현지; 김민태; 송진동; Jae Min Myuong; 이유종; 최원준 |
| 2011-01 | Growth and characterization of low density droplet GaAs quantum dots for single photon sources | 하승규; 송진동; 임주영; S. Bounouar; F. Donatini; L. S. Dang; J. P. Poizat; J. S. Kim; 최원준; 한일기; 이정일 |
| 2011-10 | Growth of GaAs on Si substrate using InAs defect reduction layer | 최원준; 조남기; 임주영; 송진동; 이정일 |
| 2011-09 | Growth of high-quality InSb layer on (001) Si substrate with an initial intermediate-layer of InAs quantum dots | 임주영; 송진동; 최원준; 안재평; 양해승 |
| 2008-05 | Growth of high-quality InSb layers on GaAs using InAs quantum dots as a lattice-mismatch compensation layer for the appication to high mobility magnetic devices.(60,400cm2/Vs) | 송진동; 임주영; 신상훈; 장준연; 최원준 |
| 2011-07 | Growth of Sb-based compound semiconductor nano structures for the application to high-speed electronics and infrared sensors | 송진동; 임주영; 신상훈; 김수연; 이은혜 |
| 2010-04 | Growth of three-dimensional InAs islands on (001) Si Substrate | 임주영; 조남기; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석 |
| 2011-12 | Growth Temperature Effects of In0.4Al0.6As Buffer Layer on the Luminescence Properties of InGaAs/InAlAs Quantum Well Structures | 김희연; 류미이; 임주영; 신상훈; 김수연; 송진동 |
| 2010-05 | Growth Temperature Effects of In0.5Al0.5As Buffer Layer on the Optical Properties of In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As Multiple Quantum Wells Grown on GaAs | 김희연; 오현지; 안상우; 류미이; 임주영; 신상훈; 김수연; 송진동 |
| 2008-07 | InAs 2DEG HEMT on GaAs and InP with Sb- and P- cluster MBE for SPIN-FET and InSb on GaAs for magnetic sensor | 송진동; 김형준; 임주영; 신상훈; 김경호; 장준연; 이승웅 |
| 2008-08 | InAs 2DEG HEMT on GaAs and InP with Sb- and P- cluster MBE for SPIN-FET and InSb on GaAs for magnetic sensor | 송진동; 김형준; 임주영; 신상훈; 김경호; 장준연 |
| 2020-03 | Intrinsically p-type cuprous iodide semiconductor for hybrid light-emitting diodes | 장준연; 송진동; 장혜정; 강수석; 안도열; 임주영; S.H. Yang; S. Ko; S.H. Park; S.J. Park; D.S. KIm |
