| 2010-08 | Calculation of full digital-alloyed 1.3 μm MQWs and their optical, structural and electrical properties | K H LEE; 송진동; 이정훈; 허두창; 한일기; Y T LEE |
| 2003-08 | Characteristics of superluminescent diodes utilizing In0.5Ga0.5As quantum dots | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기 |
| 2003-07 | CW 0.5-W 1.52-㎛ digital alloy AlGaInAs-InP multiple-quantum-well lasers | 허두창; 송진동; 한일기; 이정일; 정지채; 김종민; 이용탁 |
| 2013-01 | Design and Fabrication of 1.35-μm Laser Diodes With Full Digital-Alloy InGaAlAs MQW | 허두창; 송진동; 한일기; 최원준; 이용탁 |
| 2003-04 | Effects of the linewidth enhancement factor on filamentation in 1.55 μm broad-area laser diodes | 허두창; 한일기; 이정일; 정지채; 조시형 |
| 2003-07 | Fabrication of optical sources using InGaAs quantum dots grown by atomic layer epitaxy | 허두창; 한일기; 송진동; 최원준; 이정일; 이정용; 이주인; 정지채 |
| 2003-09 | High performance of 1.54㎛ InGaAsP high-power tapered laser using high p-doped separate confinement layer and strain compensated multiple quantum wells | 허두창; 한일기; 이정일; 정지채 |
| 2003-05 | High power broadband InGaAs/GaAs quantum dot superluminescent diodes | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기 |
| 2004-09 | High power laser diodes/superluminescent diodes | 허두창; 한일기; 송진동; 박용주; 최원준; 조운조; 이정일 |
| 2003-12 | Improvment of the high-temperature characteristics of 1.52 ㎛ InGaAs laser with (InAlAs)0.4(InGaAs)0.6 short-period superlattice barriers | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 이용탁; 정지채; 한일기 |
| 2015-11 | Investigation of detection wavelength of Quantum Well Infrared-Photodetector | 최원준; 송진동; 임주영; 신재철; 허두창; 황성호 |
| 2001-03 | Light-current characteristics of highly p-doped 1.55 ㎛ diffraction-limited high-power laser diodes | 한일기; 우덕하; 김선호; 이정일; 허두창; 정지채; Fred G. Johnson; 조시형; 송정호; Peter J. S. Heim; Mario Dagenais |
| 2000-12 | Low frequency noise spectroscopy for schottky contacts | 이정일; 한일기; 허두창; J. Brini; A. Chovet; C.A. Dimitriadis; 정지채 |
| 2003-09 | Maximum power CW 2.45-W 1.55-㎛ InGaAsP laterally tapered laser diodes. | 허두창; 한일기; 이정일; 정지채 |
| 2009-07 | Optical properties of fully digital-alloyed 1.3 μm MQW and its application to laser diodes | 허두창; 송진동; 한일기; 이정일; 김종민; 이용탁 |
| 2004-02 | Parametric Study on optical properties of digital-alloy In(Ga1-zAlz)As/InP grown by molecular-beam epitaxy | 송진동; 허두창; 한일기; J.M. Kim; 이용탁; S.H. Park |
| 2003-04 | Semiconductor laser diode die bonding using AuSn solder | 최상현; 배형철; 허두창; 한일기; 조운조; 최원준; 박용주; 이정일; 이천 |
| 2003-05 | Structural optical properties of InAs/GaAs quantum dots grown by atomic layer MBE and its application to 1.13 um laser diodes | 송진동; 박영민; 신재철; 허두창; 배형철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; 김형석; 박찬경 |
| 2004-08 | Study on InGaAsP-InGaAs MQW-LD with symmetric and asymmetric separate confinement heterostructure | 허두창; 한일기; 이정일; 정지채 |
| 2004-11 | Study on superluminescent diodes using InGaAs-InAs chirped quantum dots | 한일기; 허두창; 송진동; 이정일; Joo In Lee |
| 2002-09 | Study on the characteristics of InGaAsP/InGaAs MQW-LD with differently p-doped and asymmetric structures | 한일기; 허두창; 최원준; 이정일; 이주인 |
| 2002-10 | Study on the light-current characteristics of 1.55 um InGaAsP/InP MQW-LD with highly p-doped InGaAsP/InP layer | 한일기; 허두창; 최원준; 이정일 |
| 2003-10 | Superluminescent diodes using chirped quantum dots | 한일기; 허두창; 송진동; 최원준; 이정일 |
| 2003-12 | The characteristics of 3-stacked InGaAs/GaAs QD quantum dot lasers grown by atomic layer molecular beam epitaxy | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기 |
| 2002-08 | 대면적 레이저 다이오드의 필라멘테이션과 α -factor | 한일기; 허두창; 이정일; 이주인 |
| 2003-03-25 | 비대칭 ＳＣＨ 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법 | 박용주; 송진동; 이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창 |
| 2003-10-30 | 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | 이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창 |
| 2003-05-16 | 양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법 | 한일기; 허두창 |
| 2003-04 | 원자층성장된 InGaAs/GaAs 양자점의 광학 및 구조적 특성과 반도체레이저다이오드의 응용 | 송진동; 허두창; 신재철; 박영민; 임재구; 최원준; 한일기; 박용주; 조운조; 이정일; 이호성; 이정용 |
| 2001-12-31 | ＩｎＰ 기반 레이저 다이오드 기술에서 고농도 도핑된ｐ-ＩｎＰ 삽입층을 이용한 레이저 다이오드의 광출력증가 방법 | 김은규; 박용주; 이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창 |
