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Issue DateTitleAuthor(s)
2010-08Calculation of full digital-alloyed 1.3 μm MQWs and their optical, structural and electrical propertiesK H LEE; 송진동; 이정훈; 허두창; 한일기; Y T LEE
2003-08Characteristics of superluminescent diodes utilizing In0.5Ga0.5As quantum dots허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기
2003-07CW 0.5-W 1.52-㎛ digital alloy AlGaInAs-InP multiple-quantum-well lasers허두창; 송진동; 한일기; 이정일; 정지채; 김종민; 이용탁
2013-01Design and Fabrication of 1.35-μm Laser Diodes With Full Digital-Alloy InGaAlAs MQW허두창; 송진동; 한일기; 최원준; 이용탁
2003-04Effects of the linewidth enhancement factor on filamentation in 1.55 μm broad-area laser diodes허두창; 한일기; 이정일; 정지채; 조시형
2003-07Fabrication of optical sources using InGaAs quantum dots grown by atomic layer epitaxy허두창; 한일기; 송진동; 최원준; 이정일; 이정용; 이주인; 정지채
2003-09High performance of 1.54㎛ InGaAsP high-power tapered laser using high p-doped separate confinement layer and strain compensated multiple quantum wells허두창; 한일기; 이정일; 정지채
2003-05High power broadband InGaAs/GaAs quantum dot superluminescent diodes허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기
2004-09High power laser diodes/superluminescent diodes허두창; 한일기; 송진동; 박용주; 최원준; 조운조; 이정일
2003-12Improvment of the high-temperature characteristics of 1.52 ㎛ InGaAs laser with (InAlAs)0.4(InGaAs)0.6 short-period superlattice barriers허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 이용탁; 정지채; 한일기
2015-11Investigation of detection wavelength of Quantum Well Infrared-Photodetector최원준; 송진동; 임주영; 신재철; 허두창; 황성호
2001-03Light-current characteristics of highly p-doped 1.55 ㎛ diffraction-limited high-power laser diodes한일기; 우덕하; 김선호; 이정일; 허두창; 정지채; Fred G. Johnson; 조시형; 송정호; Peter J. S. Heim; Mario Dagenais
2000-12Low frequency noise spectroscopy for schottky contacts이정일; 한일기; 허두창; J. Brini; A. Chovet; C.A. Dimitriadis; 정지채
2003-09Maximum power CW 2.45-W 1.55-㎛ InGaAsP laterally tapered laser diodes.허두창; 한일기; 이정일; 정지채
2009-07Optical properties of fully digital-alloyed 1.3 μm MQW and its application to laser diodes허두창; 송진동; 한일기; 이정일; 김종민; 이용탁
2004-02Parametric Study on optical properties of digital-alloy In(Ga1-zAlz)As/InP grown by molecular-beam epitaxy송진동; 허두창; 한일기; J.M. Kim; 이용탁; S.H. Park
2003-04Semiconductor laser diode die bonding using AuSn solder최상현; 배형철; 허두창; 한일기; 조운조; 최원준; 박용주; 이정일; 이천
2003-05Structural optical properties of InAs/GaAs quantum dots grown by atomic layer MBE and its application to 1.13 um laser diodes송진동; 박영민; 신재철; 허두창; 배형철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; 김형석; 박찬경
2004-08Study on InGaAsP-InGaAs MQW-LD with symmetric and asymmetric separate confinement heterostructure허두창; 한일기; 이정일; 정지채
2004-11Study on superluminescent diodes using InGaAs-InAs chirped quantum dots한일기; 허두창; 송진동; 이정일; Joo In Lee
2002-09Study on the characteristics of InGaAsP/InGaAs MQW-LD with differently p-doped and asymmetric structures한일기; 허두창; 최원준; 이정일; 이주인
2002-10Study on the light-current characteristics of 1.55 um InGaAsP/InP MQW-LD with highly p-doped InGaAsP/InP layer한일기; 허두창; 최원준; 이정일
2003-10Superluminescent diodes using chirped quantum dots한일기; 허두창; 송진동; 최원준; 이정일
2003-12The characteristics of 3-stacked InGaAs/GaAs QD quantum dot lasers grown by atomic layer molecular beam epitaxy허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기
2002-08대면적 레이저 다이오드의 필라멘테이션과 α -factor한일기; 허두창; 이정일; 이주인
2003-03-25비대칭 SCH 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법박용주; 송진동; 이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창
2003-10-30스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창
2003-05-16양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법한일기; 허두창
2003-04원자층성장된 InGaAs/GaAs 양자점의 광학 및 구조적 특성과 반도체레이저다이오드의 응용송진동; 허두창; 신재철; 박영민; 임재구; 최원준; 한일기; 박용주; 조운조; 이정일; 이호성; 이정용
2001-12-31InP 기반 레이저 다이오드 기술에서 고농도 도핑된p-InP 삽입층을 이용한 레이저 다이오드의 광출력증가 방법김은규; 박용주; 이정일; 조운조; 최원준; 한일기; 허두창