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Issue DateTitleAuthor(s)
2014-04Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As Multiple Quantum Well Nanostructures on (100) Si Substrate Using a 1-nm InAs Relief LayerOh, H. J.; Park, S. J.; Lim, J. Y.; Cho, N. K.; Song, J. D.; Lee, W.; Lee, Y. J.; Myoung, J. M.; Choi, W. J.
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