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dc.contributor.author한일기-
dc.date.accessioned2024-01-20T20:35:15Z-
dc.date.available2024-01-20T20:35:15Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2009-09-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/132186-
dc.description.abstract크기가 다른 양자점 (chirped 양자점) 구조에 대하여 전기발광 (Electroluminescence, EL) 특성과 광발광 (Photoluminescence, PL) 특성을 측정하고 비교 분석하였다. PL 특성에서는 양자점의 기저준위에 의한 피이크가 우세하게 나타난 반면, EL 특성에서는 여기준위에 의한 특성이 우세하게 나타났다. 이와 같은 특성비교로부터 기저준위도 EL 특성에 영향을 미칠 수 있도록 chirped 양자점 구조를 설계하면 파장대역폭이 더욱 넓은 고휘도 발광소자 개발이 가능할 것임을 제안하였다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석-
dc.title.alternativeOptical and Electrical Characteristics of Chirped Quantum Dot Structures for the Superluminescent Diodes with Wide Spectrum Bandwidth-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.18, no.5, pp.365 - 371-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume18-
dc.citation.number5-
dc.citation.startPage365-
dc.citation.endPage371-
dc.identifier.kciidART001378459-
dc.subject.keywordAuthorSuperluminescent diodes-
dc.subject.keywordAuthorChirped quantum dots-
dc.subject.keywordAuthorPhotoluminescence-
dc.subject.keywordAuthorElectroluminesce-
dc.subject.keywordAuthor고휘도 발광소자-
dc.subject.keywordAuthorChirped 양자점-
dc.subject.keywordAuthor광발광 (Photoluminescence)-
dc.subject.keywordAuthor전기발광 (Electroluminescence)-
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KIST Article > 2009
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