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dc.contributor.author김순규-
dc.contributor.author장준연-
dc.date.accessioned2024-01-21T03:04:45Z-
dc.date.available2024-01-21T03:04:45Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2006-05-
dc.identifier.issn1225-8822-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135532-
dc.description.abstractSi기반 고주파집적회로의 차단재로서 간접전극 양극산화법으로 형성된 다공성 Si을 활용하기 위한 기초 연구로서 전류밀도, 시간에 따른 기공의 크기와 깊이등을 조사하였고 기공 도입 전, 후 Si의 격자상수 변화를 측정하여 유발되는 내부응력의 크기를 평가하였다. 기공의 크기와 깊이는 대개 전류밀도와 시간에 따라 증가하였다. 기공이 형성됨에 따라 Si의 격자상수가 증가하여 약 8MPa의 압축응력이 유발되었다. 간접전극 양극산화법으로 형성된 다공성 Si은 공정이 간단하고 기공으로 유발되는 내부응력의 크기가 작아 Si VLSI공정 적합성이 우수하므로 고주파직접회로의 효과적인 차단재로서 적합한 재료로 판단된다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title간접전극 양극산화에 의한 다공성 실리콘의 형성-
dc.title.alternativeFormation of porous Si by indirect electrode anodization-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation한국진공학회지, v.15, no.3, pp.273 - 279-
dc.citation.title한국진공학회지-
dc.citation.volume15-
dc.citation.number3-
dc.citation.startPage273-
dc.citation.endPage279-
dc.description.isOpenAccessN-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001009631-
dc.subject.keywordAuthor다공성 Si-
dc.subject.keywordAuthor간접전극 양극산화-
dc.subject.keywordAuthor차단재-
dc.subject.keywordAuthor격자상수-
dc.subject.keywordAuthorPorous Si-
dc.subject.keywordAuthorIndirect electrode anodization-
dc.subject.keywordAuthorIsolation material-
dc.subject.keywordAuthorLattice parameter-
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