수소 및 비소 이온 조사에 의한 InGaAsP-InP 양자우물 구조의 청색이동

Abstract

양자우물 혼합을 위하여 레이저 다이오드구조의 InGaAsP-InP 시료에 1 MeV As 이온과 80 keV H 이온을 조사한 후, 800 $^\circ$C 열처리하여 광발광 측정 결과 188 nm 와 155 nm 의 청색이동 (blue-shift)이 일어났다. 80 keV의 H 이온조사에 의한 155 nm의 청색이동은 광 집적회로에 이용이 가능하고, 이런 낮은 에너지를 가진 가벼운 이온을 이용하여 광 집적회로가 구현된다면 이온조사기술의 공정비용을 높은 에너지 (MeV)를 가진 이온을 이용하는 것에 비해 많이 낮출 수 있는 장점이 있다. 그리고, 점결함의 양에 따른 띠틈 에너지변화를 알아보기 위해 조사선량을 변화시켜 80 keV H 이온을 조사한 결과, 청색이동은 점결함의 양에 따라 선형적으로 증가되는 것이 아니라 임계 점결함 양이 있음을 알 수 있었다.