DSpace at KISTKIST Article2005

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dc.contributor.author이관희-
dc.contributor.author박호동-
dc.contributor.author이종협-
dc.contributor.author이종욱-
dc.date.accessioned2024-01-21T04:31:59Z-
dc.date.available2024-01-21T04:31:59Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2005-09-
dc.identifier.issn1229-1935-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136167-
dc.description.abstract본 연구에서는 그동안 전기화학적으로 합성되지 못했던 III-V족 화합물 반도체 InSb를 구연산 용액으로부터 합성하였으며, 자체 제조한 AAO를 나노템플릿으로 이용하여 정전압 도금을 실시하여 InSb 나노와이어를 제조하였다. 제조된 InSb 나노와이어는 X-선 회절분석 결과 단결정의 나노와이어는 아니었으나 정확하게 화학양론을 만족시키는 화합물임을 확인하였고, 평판 박막 상태의 InSb와는 달리 나노와이어의 길이방향으로 [220] 방향의 결정이 주로 성장하는 우선결정방위를 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 집합적으로 배열된 상태에서 측정된 I-V 특성 곡선에서는 n형 반도체의 특성을 보이되 밴드갭이 좁고, 전자이동도가 큰 InSb 고유의 특성상 반금속과 유사한 전기적 특성을 보유하고 있음을 확인하였다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국전기화학회-
dc.titleIII-V족 화합물 반도체 InSb 나노와이어의 전기화학적 합성 및 특성 평가-
dc.title.alternativeElectrochemical Formation and Characterization of III-V Compound Semiconductor InSb Nanowires-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation전기화학회지, v.8, no.3, pp.130 - 134-
dc.citation.title전기화학회지-
dc.citation.volume8-
dc.citation.number3-
dc.citation.startPage130-
dc.citation.endPage134-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001790024-
dc.subject.keywordAuthorInSb-
dc.subject.keywordAuthorNanowire-
dc.subject.keywordAuthorElectrodeposition-
dc.subject.keywordAuthorCharacterization-
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KIST Article > 2005
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