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dc.contributor.author김창삼-
dc.contributor.author한경섭-
dc.contributor.author김신우-
dc.date.accessioned2024-01-21T05:09:59Z-
dc.date.available2024-01-21T05:09:59Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2005-04-
dc.identifier.issn1225-1429-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136580-
dc.description.abstract본 연구에서는 질화규소의 소결 과정에서 인위적으로 형성시킨 기공내부에 질화규소의 휘스커를 성장시키는 새로운 방법을 시도하였다. 실험변수로는 기공의 크기, 기공률 및 질소압력을 사용하였다. 기공률이 14 vol%와 27 vol%로 낮은 경우에는 질화규소 휘스커가 기공내부에 잘 성장되었으나 39 vol%와 50 vol%로 기공률이 증가된 경우에는 휘스커가 거의 성장하지 않았다. 한편 기공의 크기와 질소압력은 기공내부에 질화규소 휘스커의 성장에 거의 영향을 주지 않았고, 소결과정에 기공 내에 휘스커를 성장시키는 중요한 조건은 고립된 형태의 닫힌 기공을 유지하는 것임을 알았다.-
dc.publisher한국결정성장학회-
dc.title제어된 기공을 이용한 질화규소 휘스커의 성장-
dc.title.alternativeGrowth of silicon nitride whiskers using tailered pores-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation한국결정성장학회지, v.15, no.2, pp.61 - 67-
dc.citation.title한국결정성장학회지-
dc.citation.volume15-
dc.citation.number2-
dc.citation.startPage61-
dc.citation.endPage67-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001112704-
dc.subject.keywordAuthorSilicon nitride whiskers-
dc.subject.keywordAuthorPore volume-
dc.subject.keywordAuthorIsolated pore-
dc.subject.keywordAuthorNitrogen pressure-
dc.subject.keywordAuthorSintering-
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KIST Article > 2005
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