| 2003-10 | Effect of InxGa1-xAs strain relaxation layers on optical and structural properties of InAs/GaAs quantum dots for the application to optical communication | 송진동; 박영민; 임재구; 신재철; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일 |
| 2005-03 | Effect of InxGa1-xAs strain release layers on the microstructural and interband transition properties of InAs/GaAs quantum dots | 임재구; 박용주; 박영민; 송진동; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; T.W. Kim; H S Kim; C G Park |
| 2003-08 | Effects of an InxGa1-xAs asymmetric strain release layer on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots | 임재구; 최은하; 박용주; 박영민; 송진동; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일 |
| 2003-12 | Effects of Growth Sequence on Optical and Structural Porperties of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy | 송진동; 박영민; 신재철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; 김형석; 박찬경 |
| 2004-10 | Influence of arsenic during indium deposition on the formation of the wetting layers of InAs quantum dots grown by migration enhanced epitaxy | 송진동; 박영민; 신재철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 이정일; H.S. Kim; 박찬경 |
| 2003-06 | Structural and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots using atomic layer epitaxy technique for the application of optical communication | 송진동; 박영민; 신재철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; 이호성; 이정용 |
| 2003-05 | Structural optical properties of InAs/GaAs quantum dots grown by atomic layer MBE and its application to 1.13 um laser diodes | 송진동; 박영민; 신재철; 허두창; 배형철; 임재구; 박용주; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일; 김형석; 박찬경 |
| 2003-04 | 원자층성장된 InGaAs/GaAs 양자점의 광학 및 구조적 특성과 반도체레이저다이오드의 응용 | 송진동; 허두창; 신재철; 박영민; 임재구; 최원준; 한일기; 박용주; 조운조; 이정일; 이호성; 이정용 |
