기판 부근의 자기장이 RF 스퍼터링법으로 증착된 ITO 박막의 특성에 미치는 영향

Abstract

ITO (indium tin oxide) 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작하였다. 기판 부근으로 플라즈마를 견인하기 위해서 타겟 부근에 영구자석을 설치하였다. 기판 부근으로 플라즈마를 견인하는 자기장의 효과를 기판 가열 효과와 비교하였다. ITO 박막의 입자 크기에 기판 가열의 효과는 자기장 효과보다 컸다. 그러나 스퍼터 공정 동안에 기판 근처에 자기장을 인가하였을 때가 ITO 박막의 입자 크기가 기판을 가열하지 않으면서 자기장도 인가하지 않았을 때 보다 더 컸다. 스퍼터링 공정 동안에 더 강한 자기장을 기판 부근에 인가하면 양호한 전기전도도와 높은 투과도를 가지는 ITO 박막을 낮은 기판온도에서 얻을 수 있다는 것을 예상할 수 있다. 스퍼터링 동안에 기판 부근에 90 Gauss의 자기장을 인가하면 ITO 박막의 이동도는 15.2 cm2/V？2로부터 23.3 cm2/V？s로 증가하고 면저항은 7.68 ohm？cm로 부터 5.11 ohm？cm로 감소하였다.