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dc.contributor.author한일기-
dc.contributor.author이정일-
dc.date.accessioned2024-01-20T20:30:53Z-
dc.date.available2024-01-20T20:30:53Z-
dc.date.created2022-01-10-
dc.date.issued2009-11-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/131974-
dc.description.abstractChemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의 <311>A와 B면이 <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 1 ㎛/hr인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장-
dc.title.alternativeSelective Epitaxy Growth of Multiple-Stacked InP/InGaAs on the Planar Type by Chemical Beam Epitaxy-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.18, no.6, pp.468 - 473-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume18-
dc.citation.number6-
dc.citation.startPage468-
dc.citation.endPage473-
dc.identifier.kciidART001391008-
dc.subject.keywordAuthorChemical beam epitaxy-
dc.subject.keywordAuthorSelective area epitaxy-
dc.subject.keywordAuthorSemiconductor-
dc.subject.keywordAuthorGrowth mechanism-
dc.subject.keywordAuthor화학적 빔 에피탁시-
dc.subject.keywordAuthor선택적 영역 에피성장-
dc.subject.keywordAuthor화합물반도체-
dc.subject.keywordAuthor성장 메카니즘-
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KIST Article > 2009
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