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dc.contributor.author한일기-
dc.contributor.author송진동-
dc.contributor.author이정일-
dc.date.accessioned2024-01-20T22:31:08Z-
dc.date.available2024-01-20T22:31:08Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2008-11-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/132995-
dc.description.abstractGaAs/AlGaAs 물질계를 기반으로 한 양자폭포레이저를 제작하였다. 양자폭포레이저는 활성층의 위까지만 식각된 shallow mesa 구조와 활성층까지 식각된 deep mesa 구조로 제작되었다. shallow mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도가 26-32 kA/cm2 이었지만 deep mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도는 13 kA/cm2로 대단히 감소되었다. Deep mesa 구조에서의 문턱전류 감소는 측면 방향으로의 전류 손실이 감소되었기 때문으로 설명되었다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국진공학회-
dc.titleGaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser에서 deep mesa 구조에 의한 문턱전류 감소-
dc.title.alternativeThreshold Current Reduction of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser due to the Deep Mesa Structure-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.523 - 527-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume17-
dc.citation.number6-
dc.citation.startPage523-
dc.citation.endPage527-
dc.identifier.kciidART001292558-
dc.subject.keywordAuthorQuantum cascade lasers-
dc.subject.keywordAuthorQuantum well-
dc.subject.keywordAuthorThreshold current-
dc.subject.keywordAuthor양자폭포레이저-
dc.subject.keywordAuthor양자우물-
dc.subject.keywordAuthor문턱전류-
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