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dc.contributor.author정정화-
dc.contributor.author이정일-
dc.contributor.author한일기-
dc.date.accessioned2024-01-20T22:31:10Z-
dc.date.available2024-01-20T22:31:10Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2008-11-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/132996-
dc.description.abstract순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/mA인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/mA로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title양자점 레이저 다이오드의 식각 깊이에 따른 접합온도 측정-
dc.title.alternativeJunction Temperature of Quantum Dot Laser Diodes Dependingon the Mesa Depth-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.555 - 559-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume17-
dc.citation.number6-
dc.citation.startPage555-
dc.citation.endPage559-
dc.identifier.kciidART001292563-
dc.subject.keywordAuthorLaser diodes-
dc.subject.keywordAuthorQuantum dots-
dc.subject.keywordAuthorJunction temperature-
dc.subject.keywordAuthor레이저 다이오드-
dc.subject.keywordAuthor양자점-
dc.subject.keywordAuthor접합온도-
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KIST Article > 2008
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