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dc.contributor.author권성도-
dc.contributor.author김진상-
dc.contributor.author윤석진-
dc.contributor.author정대용-
dc.contributor.author주병권-
dc.date.accessioned2024-01-20T23:30:43Z-
dc.date.available2024-01-20T23:30:43Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2008-05-
dc.identifier.issn0374-4914-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/133512-
dc.description.abstractBiSbTe$_3$ 에피박막을 유기금속화학증착법 (MOCVD)으로 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 통상적인 사파이어 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 BiSbTe$_3$ 박막의 표면형상은 삼각형 형태 등의 불규칙한 결정립을 포함하는 형상을 나타내었으나 성장전 기판을 표면처리 함으로써 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았으며 따라서 다양한 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국물리학회-
dc.titleBiSbTe3/사파이어 박막의 표면형상 개선을 위한 기판의 표면처리-
dc.title.alternativeChemical Treatment of Substrates for Improving the Surface Morphology of BiSbTe3 Thin Films on Sapphire-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation새물리, v.56, no.4, pp.364 - 368-
dc.citation.title새물리-
dc.citation.volume56-
dc.citation.number4-
dc.citation.startPage364-
dc.citation.endPage368-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001237500-
dc.subject.keywordAuthorMorphology-
dc.subject.keywordAuthorAtomic force microscope-
dc.subject.keywordAuthorThermoelectric materials-
dc.subject.keywordAuthorMOCVD-
dc.subject.keywordAuthorMorphology-
dc.subject.keywordAuthorAtomic Force Microscope-
dc.subject.keywordAuthor열전재료-
dc.subject.keywordAuthorMOCVD-
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