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dc.contributor.author김정훈-
dc.contributor.author김진상-
dc.contributor.author정대용-
dc.contributor.author주병권-
dc.contributor.author최지원-
dc.date.accessioned2024-01-21T03:04:39Z-
dc.date.available2024-01-21T03:04:39Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2006-05-
dc.identifier.issn0374-4914-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135528-
dc.description.abstractBi$_2$Te$_3$ 및 Sb$_2$Te$_3$ 에피 박막을 trimethylbismuth, triethylantimony, 및 diisopropyltelluride을 사용하여 유기금속 기상 증착법으로 (001) GaAs 단결정 기판 위에 성장하였다. 성장된 Bi-Te 계 박막은 층상 구조를 이루며 $c$-축 방향으로 배향된 단결정임을 전자현미경 및 X-선 회절 분석결과 확인 할 수 있었다. 2차원의 step-flow 형태로 성장이 일어났음을 박막의 표면형상을 관찰한 결과 확인 할 수 있었다. Bi$_2$Te$_3$ 박막의 경우 Sb$_2$Te$_3$와는 달리 수평방향으로 성장 속도의 이방성이 존재함을 AFM 분석을 통하여 확인하였다. 이러한 열전소재의 제조 공정은 박막형 열전냉각 소자 및 발전소자의 제작에 널리 응용될 수 있을 것으로 기대된다.-
dc.publisher한국물리학회-
dc.titleMOCVD 법으로 성장된 Bi2Te3 및 Sb2Te3 박막의 구조적 특성-
dc.title.alternativeStructural characteristics of Bi2Te3 and Sb2Te3 films on GaAs substrates grown by MOCVD-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation새물리, v.52, no.5, pp.463 - 467-
dc.citation.title새물리-
dc.citation.volume52-
dc.citation.number5-
dc.citation.startPage463-
dc.citation.endPage467-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001009241-
dc.subject.keywordAuthorBi$_2$Te$_3$-
dc.subject.keywordAuthorSb$_2$Te$_3$-
dc.subject.keywordAuthor열전재료-
dc.subject.keywordAuthorMOCVD-
dc.subject.keywordAuthorBi$_2$Te$_3$-
dc.subject.keywordAuthorSb$_2$Te$_3$-
dc.subject.keywordAuthorthermoelectric material-
dc.subject.keywordAuthorMOCVD-
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