DSpace at KISTKIST Article2005

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dc.contributor.author이광용-
dc.contributor.author원혜진-
dc.contributor.author전성우-
dc.contributor.author오택수-
dc.contributor.author변지영-
dc.contributor.author오태성-
dc.date.accessioned2024-01-21T04:31:34Z-
dc.date.available2024-01-21T04:31:34Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2005-09-
dc.identifier.issn1226-9360-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136159-
dc.description.abstract도금전류밀도에 따른 Ni 박막의 결정립 크기, 전기비저항, 솔더 wetting angle 및 금속간화합물의 성장속도를 분석하였다. 도금전류밀도를 5 mA/cm2에서 40 mA/cm2로 증가시킴에 따라 Ni 박막의 표면 nodule의 크기가 감소하고 결정립이 미세화 되었으며, 전기비저항이 7.37 μΩ-cm에서 9.13 μΩ-cm로 증가하였다. 5 mA/cm2 및 10 mA/cm2에서 도금한 Ni 박막이 40 mA/cm2에서 형성한 Ni 박막에 비해 전기비저항이 낮고 dense 하며 계면 금속간화합물의 성장속도가 느리기 때문에 무연솔더의 UBM 용도로 더 적합할 것이다.-
dc.publisher한국마이크로전자및패키징학회-
dc.title전기도금법으로 제조한 Ni 박막의 전기비저항 및 솔더 반응성-
dc.title.alternativeElectrical Resistivity and Solder-Reaction Characteristics of Ni Films Fabricated by Electroplating-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation마이크로전자 및 패키징학회지, v.12, no.3, pp.253 - 258-
dc.citation.title마이크로전자 및 패키징학회지-
dc.citation.volume12-
dc.citation.number3-
dc.citation.startPage253-
dc.citation.endPage258-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001132127-
dc.subject.keywordAuthorNi film-
dc.subject.keywordAuthorElectroplating-
dc.subject.keywordAuthorElectronic packaging-
dc.subject.keywordAuthorUBM-
dc.subject.keywordAuthorElectrical resistivity-
dc.subject.keywordAuthorSolder reaction-
dc.subject.keywordAuthorNi film-
dc.subject.keywordAuthorElectroplating-
dc.subject.keywordAuthorElectronic packaging-
dc.subject.keywordAuthorUBM-
dc.subject.keywordAuthorElectrical resistivity-
dc.subject.keywordAuthorSolder reaction-
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