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dc.contributor.author변영태-
dc.contributor.author김선호-
dc.contributor.author전영민-
dc.date.accessioned2024-01-21T06:08:03Z-
dc.date.available2024-01-21T06:08:03Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2004-11-
dc.identifier.issn0374-4914-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/137089-
dc.description.abstract단일모드 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기가 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 성장기법과 화학적인 습식식각 방법을 이용하여 제작되었다. P-p-n-N 이중의 이종접합(double heterostructure) 위상변조기의 위상변조 특성은 역 바이어스 전압을 변화시키면서 Mach-Zehnder 간섭 방법을 이용하여 1.55 $\mu$m 파장에서 측정되었다. TE 편광에서 측정된 스위칭 전압은 2.2 볼트이고 위상변조 효율은 40.9$^\circ$/V$\cdot$mm로 높게 얻어졌다. 이 위상 변조 효율은 1.55 $\mu$m 파장에서 GaAs/AlGaAs 와 InGaAsP/InP 위상변조기들에서 보고된 가장 큰 실험 값이다.-
dc.publisher한국물리학회-
dc.title1.55 m 파장에서 P-p-n-N GaAs/AlGaAs 위상변조기의 높은 위상변조 효율-
dc.title.alternativeHigh Phase Modulation Efficiency of P-p-n-N GaAs/AlGaAs Phase Modulator at 1.55m-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation새물리, v.49, no.5, pp.406 - 411-
dc.citation.title새물리-
dc.citation.volume49-
dc.citation.number5-
dc.citation.startPage406-
dc.citation.endPage411-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART000939502-
dc.subject.keywordAuthorP-p-n-N waveguide phase modulator-
dc.subject.keywordAuthorGaAs/AlGaAs ridge waveguide-
dc.subject.keywordAuthorMach-Zehnder interferometer-
dc.subject.keywordAuthorPhase modulation efficiency-
dc.subject.keywordAuthorP-p-n-N 도파로 위상 변조기-
dc.subject.keywordAuthorGaAs/AlGaAs ridge 도파로-
dc.subject.keywordAuthorMach-Zehnder 간섭계-
dc.subject.keywordAuthor위상변조 효율-
dc.subject.keywordAuthorP-p-n-N waveguide phase modulator-
dc.subject.keywordAuthorGaAs/AlGaAs ridge waveguide-
dc.subject.keywordAuthorMach-Zehnder interferometer-
dc.subject.keywordAuthorPhase modulation efficiency-
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