DSpace at KISTKIST Article2002

Full metadata record

DC Field Value Language
dc.contributor.author조재원-
dc.contributor.author이희택-
dc.contributor.author최원준-
dc.contributor.author우덕하-
dc.contributor.author김선호-
dc.contributor.author강광남-
dc.date.accessioned2024-01-21T09:39:43Z-
dc.date.available2024-01-21T09:39:43Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2002-12-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/139015-
dc.description.abstract반도체-유전체 덮개층의 다양한 조합이 In0.53Ga0.47As/InGaAsP(Q1.25) 양자우물 무질서화에 미치는 영향을 PL (Photoluminescence)을 이용하여 조사하였다. 청색 편이에 대한 문턱 온도는 약 750℃ 였으며 전반적으로 온도가 올라감에 따라 청색 편이도 점차 증가하였으나 SiO2의 경우에는 온도가 올라감에 따라 포화되는 경향을 보였다. SiNx가 SiO2보다 더 큰 청색 편이를 야기하였는데 이것은 SiNx의 낮은 성장 온도와 관계가 있는 것으로 생각된다. SiNx의 경우 P의 확산이, 그리고 SiO2의 경우 Ga의 확산이 청색 편이에 중요한 역할을 하는 것으로 여겨진다.-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 무질서화-
dc.title.alternativeDielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs/InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.11, no.4, pp.207 - 211-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume11-
dc.citation.number4-
dc.citation.startPage207-
dc.citation.endPage211-
dc.identifier.kciidART000896209-
dc.subject.keywordAuthor양자우물 무질서화-
dc.subject.keywordAuthorInGaAs/InGaAsP 양자우물-
Appears in Collections:
KIST Article > 2002
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML
Show Simple Item Record

qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE