DSpace at KIST: 보론 나이트라이드(BN) 층의 연속적인 형성 방법, 이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법, 및 이로부터 제조된 전계 효과 트랜지스터

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	이승용	-
dc.contributor.author	양철민	-
dc.date.accessioned	2024-01-12T12:04:24Z	-
dc.date.available	2024-01-12T12:04:24Z	-
dc.date.issued	2020-05-06	-
dc.identifier.uri	https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/86336	-
dc.title	보론 나이트라이드(BN) 층의 연속적인 형성 방법, 이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법, 및 이로부터 제조된 전계 효과 트랜지스터	-
dc.type	Patent	-
dc.date.registration	2020-05-06	-
dc.date.application	2015-02-04	-
dc.identifier.patentRegistrationNumber	10-2109930	-
dc.identifier.patentApplicationNumber	10-2015-0017477	-
dc.publisher.country	KO	-
dc.type.iprs	특허	-
dc.contributor.assignee	한국과학기술연구원	-

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