Browsing byAuthor김무성

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1988-07(100) 실리콘 기판위에 MOCVD 법으로 성장된 GaAs 에피층의 결정구조 특성 .김용; 김무성; 김현수; 민석기
1987-01A study of Au-Ge/Ag/Au ohmic contact on n-type (100) GaAs epi-wafer.강광남; 권철순; 최인훈; 김무성; 정지채
1988-10Anomalous conduction band density of state in AlGaAs alloys.김용; 김무성; 민석기
1994-01Atomic force microcopy를 이용한 Al0.5Ga0.5As/GaAs 다층 에피층구조의 단면관찰에 관한 연구김용; 김희진; 김재성; 김무성; 민석기
1992-07Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric MOCVD.김용; 김태환; 김무성; 민석기
1997-08-08CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법민석기; 김성일; 김무성
1998-11-21CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법민석기; 김성일; 김무성
1999-02-02CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법민석기; 김성일; 김무성
1994-01CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기
1991-01Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry.김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기
1990-03Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI).김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1996-01Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs.손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기
1994-01Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근
1996-10Fabrication and characterization modulation-doped-field-effect-transistors with antidot-patterned passivation layers.김은규; 민석기; 김무성; 황성우; 김태근; 한철구; 박정호; Y. S. Yu; W. I. Ha
1990-01Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD.김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기
1993-01Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕
1992-01Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh
1993-01GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙
1996-01GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수
1997-11-20GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법민석기; 이민석; 김용; 김무성
1988-09Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD.김용; 김무성; 김현수; 민석기
1993-01LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 .김성일; 김무성; 민석기
1996-01Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD.임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1996-09MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기
1988-11MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1990-02MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 .김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기

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