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2018-05A review of the Z(2)-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parametersCristoloveanu, S.; Lee, K. H.; Parihar, M. S.; El Dirani, H.; Lacord, J.; Martinie, S.; Le Royer, C.; Barbe, J. -Ch.; Mescot, X.; Fonteneau, P.; Galy, Ph.; Gamiz, F.; Navarro, C.; Cheng, B.; Duan, M.; Adamu-Lema, F.; Asenov, A.; Taur, Y.; Xu, Y.; Kim, Y-T.; Wan, J.; Bawedin, M.
2015-05Special memory mechanisms in SOI devicesCristoloveanu, S.; Bawedin, M.; Navarro, C.; Chang, S.-J.; Wan, J.; Andrieu, F.; Le, Royer C.; Rodriguez, N.; Gamiz, F.; Zaslavsky, A.; Kim, Y.T.
2015-11-01Unusual gate coupling effect in extremely thin and short FDSOI MOSFETsChang, S. -J.; Bawedin, M.; Andrieu, F.; Navarro, C.; Kim, Y. T.; Bae, Y.; Cristoloveanu, S.
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