상온에서 연속 조성 확산법에 의해 증착된 Ta2O5-SiO2 유전특성
- Other Titles
- Dielectric Properties of Ta2O5-SiO2 Thin Films Deposited at Room Temperature by Continuous Composition Spread
- Issue Date
- 2010-09
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.17, no.2, pp.35 - 40
- Abstract
- CCS방법이 적용된 off-axis RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 증착된 Ta2O5-SiO2의 유전체 박막에 관하여 연구를 하였다. 1500 μm 의 간격으로 비유전율 및 유전손실을 측정하여 Ta2O5-SiO2에 조성의 변화에 따른 유전특성의 변화를 나타내었다. 1 MHz 에서 높은 유전상수(k ~19.5) 와 낮은 유전손실(tanδ <0.05)을 보이는 영역들을 찾았는데, 이는증착된 기판(75×25 mm2 sized Pt/Ti/SiO2/Si(100))에서 SiO2 타겟 영역으로부터 각각 16 mm, 22 mm 떨어진 영역에서 찾을 수 있었다.
- Keywords
- Dielectric; High-K; Continuous Composition Spread(CCS); Low processing temperature
- ISSN
- 1226-9360
- Appears in Collections:
- KIST Article > 2010
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