간접전극 양극산화에 의한 다공성 실리콘의 형성

Abstract

Si기반 고주파집적회로의 차단재로서 간접전극 양극산화법으로 형성된 다공성 Si을 활용하기 위한 기초 연구로서 전류밀도, 시간에 따른 기공의 크기와 깊이등을 조사하였고 기공 도입 전, 후 Si의 격자상수 변화를 측정하여 유발되는 내부응력의 크기를 평가하였다. 기공의 크기와 깊이는 대개 전류밀도와 시간에 따라 증가하였다. 기공이 형성됨에 따라 Si의 격자상수가 증가하여 약 8MPa의 압축응력이 유발되었다. 간접전극 양극산화법으로 형성된 다공성 Si은 공정이 간단하고 기공으로 유발되는 내부응력의 크기가 작아 Si VLSI공정 적합성이 우수하므로 고주파직접회로의 효과적인 차단재로서 적합한 재료로 판단된다.