음극전착법을 이용한 Cu2O 막의 광전기 화학적 특성

Abstract

음극전착법을 이용하여 전도성유리(ITO-glass)위에 Cu2O막을 제조하였다. Cu2O막의 특성을 향상시키기 위하여 전착방법, 시간, 전압, 전착 후 열처리 조건을 변화시켰다. 전착 후 열처리를 통해 얻어진 전극에 100 ㎽/㎠의 백색광을 조사하여 광전류밀도를 측정하고, XRD, SEM, UV-visible spectrophotometer를 통해 제조 조건변화에 따른 특성변화를 관찰하였다. 그리고 100 ㎽/㎠의 백색광하에서 bias 전압이 0 V인 조건에서 전극의 안정성을 측정하였다. 인가전압 -0.7 V, 인가시간 300초 전착조건에서 얻어진 막을 300℃에서 1시간 열처리하여 순수한 Cu2O막을 제조하였으며, 이 전극을 이용 광전류밀도를 측정한 결과 1048 ㎂/㎠가 측정되었다. 또한 chemical deposition을 이용 TiO2 박막을 Cu2O막 위에 코팅하여 전극의 안정성을 향상시켰다.