MOVPE 법으로 성장한 HgCdTe 박막의 Cd/Te 몰분율에 따른 특성

Abstract

MOVPE 방법으로 적외선 감지소자용 HgCdTe 에피박막을 GaAs 기판위에 성장시킬 때 나타나는 가장 큰 문제점 중의 하나는 박막표면에 형성되는 높은 hillock 밀도이다. Cd/Te의 몰분율이 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막 표면의 hillock 밀도에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 성장된 표면의 hillock 밀도가 Cd/Te 몰분율에 크게 의존하였으며 특히 Cd-과다인 경우 hillock의 밀도가 크게 증가 하였다. Cd/Te 몰 분율에 따른 hillock 밀도의 의존성은 Cd-precursor와 Hg의 사전 반응으로 설명되었으며 Cd/Te의 분율이 0.84 근방인 경우 성장된 HgCdTe 박막 표면의 hillock 밀도는 $\sim$150 cm$^{-2}$으로 가장 작았다.