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dc.contributor.author김한기-
dc.contributor.author김경국-
dc.contributor.author박성주-
dc.contributor.author·성태연-
dc.contributor.author윤영수-
dc.date.accessioned2024-01-21T10:45:01Z-
dc.date.available2024-01-21T10:45:01Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2002-04-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/139651-
dc.description.abstract스퍼터로 성장시킨 n-ZnO:Al(3×1018 cm-3) 박막에 Ru 금속 박막을 이용하여 열적으로 안정하며 낮은 저항을 가지는 오믹 접촉을 제작하였다. 상온에서 2.1×10-3 Ωcm2의 비접촉 저항을 보이던 Ru 오믹 접촉은 열처리 온도를 증가시킴에 따라 I-V 특성이 향상되었고 특히 700℃에서 1분 동안 열처리 할 경우 3.2×10-5 Ωcm2의 낮은 비접촉 저항을 나타내었다. 또한 Ru 오믹 접촉 시스템은 고온에서도 안정한 특성을 나타내었는데 700℃에서의 고온 열처리 후에도 1.4 nm의 아주 낮은 rms 거칠기를 갖는 평탄한 표면을 나타내었다. 이와 같이 낮은 비접촉 저항과 열적 안정성은 Ru 오믹 접촉 시스템이 ZnO를 근간으로 하는 고성능의 광소자 및 고온소자에 적합한 오믹 접촉 시스템이라는 것을 말해준다. 또한 Ru 오믹 접촉의 비접촉 저항의 열처리 온도 의존성을 설명할 수 있는 메카니즘을 제시하였다.-
dc.publisher한국진공학회-
dc.title광소자용 n-ZnO 박막의 Ru 오믹 접촉 연구-
dc.title.alternativeInvestigation of Ru ohmic contacts to n-ZnO thin film for optoelectronis devices-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.11, no.1, pp.35 - 42-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume11-
dc.citation.number1-
dc.citation.startPage35-
dc.citation.endPage42-
dc.identifier.kciidART000896191-
dc.subject.keywordAuthorohmic contact-
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