DSpace at KIST: HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 .

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	김은규	-
dc.contributor.author	조훈영	-
dc.contributor.author	민석기	-
dc.date.accessioned	2024-01-22T01:11:52Z	-
dc.date.available	2024-01-22T01:11:52Z	-
dc.date.created	2022-01-10	-
dc.date.issued	1988-04	-
dc.identifier.uri	https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147581	-
dc.title	HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 .	-
dc.type	Article	-
dc.description.journalClass	3	-
dc.identifier.bibliographicCitation	새물리, v.v. 28, no.no. 2, pp.272 - 278	-
dc.citation.title	새물리	-
dc.citation.volume	v. 28	-
dc.citation.number	no. 2	-
dc.citation.startPage	272	-
dc.citation.endPage	278	-
dc.subject.keywordAuthor	HB-GaAs	-
dc.subject.keywordAuthor	deep electron trap	-
dc.subject.keywordAuthor	thermal emission	-
dc.subject.keywordAuthor	activation energy	-
dc.subject.keywordAuthor	electric field	-

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