- | Achievment of high memory window of YMnO3/Si gate by thermal treatment in nitrogen ambient | 김익수; 최재형; Kim, Yong Tae; 최인훈 |
- | Characteristics of molybdenum nitride thin film by N2+ ion implantation | 김동준; 김익수; Kim Yong Tae; 박종완 |
- | Dependence of crystallinity of SrBi2Ta2O9 thin films on crystallinity of YMnO3/Si substrates | Ho Nyung Lee; 김익수; Kim Yong Tae; PARK YOUNG KYUN; Kim Seong Il; KIM CHUN KEUN; 조성호 |
- | Effect of hydrogen annealing on electrical properties of Bi-layered perovskite thin films | KIM CHUN KEUN; 김익수; 최훈상; Kim Seong Il; 이창우; Kim Yong Tae |
- | Effect of rapid thermal annealing on the memory window of ferroelectric YMnO3 thin films deposited on Si substrates | 김익수; Ho Nyung Lee; Kim Yong Tae; 최인훈 |
- | Effects of hydrogen annealing at the curie temperature on the interface of SrBi//2Nb//2O//9/Si gate structures | 김익수; Kim Yong Tae; Kim Seong Il |
- | Effects of hydrogen annealing on electrical properties of SrBi//2Nb//2O//9 thin films. | 김익수; Kim Yong Tae; Kim Seong Il; 최인훈 |
- | Effects PECVD W-N diffusion barrier on thermal stress and electrical properties of Cu/W-N/SiOF multilevel interconnect | Kim Yong Tae; 김동준; 이석형; PARK YOUNG KYUN; 김익수; 박종완 |
1999-12 | Ferroelectic switching properties of highly c-axis oriented YMnO3 gate capacitors | 이호녕; 김익수; 김용태; 조성호 |
- | Improvement of Memory windows in YMnO₃/Si Ferroelectric gate FET [Invited Paper] | Kim Yong Tae; 김익수; PARK YOUNG KYUN |
2003-06 | Pt/SBT/Si, Pt/SBT/Pt 강유전체 게이트 구조에서 수소 열화 현상 및 IR 게이트 전극에 의한 열화 방지 방법 | 박전웅; 김익수; 김성일; 김용태; 성만영 |
2002-11-20 | 비파괴판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀 소자 및 그 제조 방법 | 김용태; 박영균; 김성일; 김익수 |