Browsing by Author 엄경숙

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1992-01Carbon doping characteristics in GaAs grown by LPMOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim
1990-01Characteristics of C-doped GaAs and critical layer thickness.김성일; 엄경숙; 김용; 김무성; 민석기; 곽명현; 마동성
1993-01Characteristics of heavily carbon doped GaAs by LPMOCVD and critical layer thickness.김용; 김성일; 엄경숙; 이주천; 곽명현; 마동성; 김무성; 민석기
1991-01Characterization for GaAs/AlGaAs superlattice grown by LPMOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 조훈영
1991-01Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry.김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기
1987-01DC characteristics of submicron gate normally-on and normally-off MESFETs on VPE and MOCVD GaAs.강광남; 이유종; 엄경숙; 김무성
1993-08Electrical characteristics of carbon-doped GaAs.김용; 김성일; 김무성; 엄경숙; 이주천; 민석기
1993-01Epitaxial growth for GaAs IC.박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙
1990-01Epitaxial technology of compound semiconductor by MOCVD.김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기
1987-01Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters.강광남; 엄경숙; 이유종
1990-01Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD.김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기
1991-01Fabrication of HEMT employing delta-doping layer grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김현수
1991-01Fabrication of quantum well high electron mobility transistor grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; K. H. Yoo; G. Ihm; S. K. Noh
1991-01Fabrication of quantum well laser diode grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh
1992-01Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh
1993-05Low temperature photoluminescence characteristics of cabon doped GaAs.김용; 김성일; 김무성; 엄경숙; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1988-11MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1990-01MOCVD 법을 이용한 AlGaAs/GaAs HEMT 의 제작 .김성일; 민석기; 김용; 엄경숙; 김무성
1990-02MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 .김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기
1990-01MOCVD 에 의한 화합물반도체 에피 성장 기술 .김성일; 민석기; 김용; 엄경숙; 김무성
1991-01Modeling for GaAs/AlGaAs buried heterostructure laser diode.김성일; 엄경숙; 민석기
1992-01Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석
1987-01Theoretical calculations on absorption, emission and gain spectra in AlGaAs active layer of the visible DH laser diode.김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성
1986-01Visible AlGaAs DH laser diode grown by MOCVD and computer aided modeling.김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성
1992-01대기압 MOCVD 를 이용한 AlGaAs/GaAs SCH 단일양자우물 레이저 다이오드의 제작 .김용; 김정진; 김성일; 김무성; 오환술; 엄경숙; 민석기
1991-01대기압 MOCVD 법을 이용한 AlGaAs/GaAs HEMT 의 제작 .김성일; 김용; 엄경숙; 김무성; 민석기
1992-01저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 Carbon 도핑특성 .김용; 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성; 곽병현; 마동성