| 1991-01 | Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry. | 김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기 |
| 1987-01 | Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters. | 강광남; 엄경숙; 이유종 |
| 1990-01 | Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD. | 김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1992-01 | Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh |
| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1989-06 | MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
| 1991-01 | MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . | 김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
| 1988-11 | MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
| 1990-02 | MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1992-01 | Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석 |
| 1987-01 | Theoretical calculations on absorption, emission and gain spectra in AlGaAs active layer of the visible DH laser diode. | 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성 |
| 1992-01 | 대기압 MOCVD 를 이용한 AlGaAs/GaAs SCH 단일양자우물 레이저 다이오드의 제작 . | 김용; 김정진; 김성일; 김무성; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
| 1992-01 | 저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 Carbon 도핑특성 . | 김용; 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성; 곽병현; 마동성 |
