화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장
- Other Titles
- Selective Epitaxy Growth of Multiple-Stacked InP/InGaAs on the Planar Type by Chemical Beam Epitaxy
- Issue Date
- 2009-11
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.18, no.6, pp.468 - 473
- Abstract
- Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의 <311>A와 B면이 <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 1 ㎛/hr인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다.
- Keywords
- Chemical beam epitaxy; Selective area epitaxy; Semiconductor; Growth mechanism; 화학적 빔 에피탁시; 선택적 영역 에피성장; 화합물반도체; 성장 메카니즘
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- KIST Article > 2009
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