양자점 레이저 다이오드의 식각 깊이에 따른 접합온도 측정
- Other Titles
- Junction Temperature of Quantum Dot Laser Diodes Dependingon the Mesa Depth
- Issue Date
- 2008-11
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.555 - 559
- Abstract
- 순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/mA인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/mA로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다
- Keywords
- Laser diodes; Quantum dots; Junction temperature; 레이저 다이오드; 양자점; 접합온도
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- KIST Article > 2008
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