광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위
- Other Titles
- Optical Characteristic of InAs Quantum Dots in an InGaAs/GaAs Well Structure
- Authors
- 남형도; 곽호상; L.Doyennette; 송진동; 최원준; 이정일; 조용훈; F. H. Julien; 최정우; 양해석; Cho, Woon Jo
- Issue Date
- 2006-03
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- 한국진공학회지, v.15, no.2, pp.209 - 215
- Abstract
- PL (photoluminescence), PLE (PL excitation) 그리고 근 적외선 투과 분광법을 활용하여 InAsGa/GaAs 우물 내 InAs 양자점 구조의 광학적 특성과 전자 버금 띠 구조에 대하여 연구하였다. 투과 스펙트럼과 PLE 스펙트럼으로부터 InAs 양자점 내 세 개의 구속 상태와 InGaAs/GaAs 우물 내에 두 개의 구속 상태가 존재함을 발견하였고, 광전류 스펙트럼에서 관측된 버금 띠 사이 전이들과 연관 지어 해석하였다.
- Keywords
- 양자점; 양자점 적외선 수광소자; 전자 버금 때; 비대칭 우물내의 양자점; We investigated the optical property and the electronic subband structure of InAs quantum dots in an InAsGa/GaAs well structure utilizing photoluminescence (PL); PL excitation (PLE) and near infrared transmission spectroscopy. From transmission and PLE spectra; we found three bound states in the InAs quantum dot and two bound states in InGaAs/GaAs quantum well; and correlated to the results of intersubband transitions observed in photocurrent spectrum.
- ISSN
- 2288-6559
- Appears in Collections:
- KIST Article > 2006
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